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codice articolo del costruttore | IPB120N06S4H1ATMA2 |
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Numero di parte futuro | FT-IPB120N06S4H1ATMA2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
IPB120N06S4H1ATMA2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 200µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 270nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 21900pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 250W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-3-2 |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB120N06S4H1ATMA2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPB120N06S4H1ATMA2-FT |
IPB015N04LGATMA1
Infineon Technologies
IPB020N10N5LFATMA1
Infineon Technologies
IPB020NE7N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB021N06N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB022N04LGATMA1
Infineon Technologies
IPB023N04NGATMA1
Infineon Technologies
IPB024N08N5ATMA1
Infineon Technologies
IPB026N06NATMA1
Infineon Technologies
IPB027N10N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB029N06N3GE8187ATMA1
Infineon Technologies
EP20K100ETC144-1N
Intel
LFXP3C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S100-5PQ208I
Xilinx Inc.
A3PE600-PQG208
Microsemi Corporation
10AX027E4F29I3SG
Intel
5SEE9H40C2LN
Intel
A40MX04-PL84I
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP15C-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation