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Infineon Technologies IPB120N06S4H1ATMA2

Numero parte MFG
IPB120N06S4H1ATMA2
quantità disponibile
18520 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 1.264528
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore IPB120N06S4H1ATMA2
Numero di parte futuro FT-IPB120N06S4H1ATMA2
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
IPB120N06S4H1ATMA2 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 270nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 21900pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 250W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO263-3-2
Pacchetto / caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPB120N06S4H1ATMA2 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IPB120N06S4H1ATMA2-FT

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