casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPB120N08S403ATMA1
codice articolo del costruttore | IPB120N08S403ATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPB120N08S403ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
IPB120N08S403ATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 223µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 167nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 11550pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 278W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-3-2 |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB120N08S403ATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPB120N08S403ATMA1-FT |
IPB020N10N5LFATMA1
Infineon Technologies
IPB020NE7N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB021N06N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB022N04LGATMA1
Infineon Technologies
IPB023N04NGATMA1
Infineon Technologies
IPB024N08N5ATMA1
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IPB026N06NATMA1
Infineon Technologies
IPB027N10N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB029N06N3GE8187ATMA1
Infineon Technologies
IPB031N08N5ATMA1
Infineon Technologies
ICE40UL640-SWG16ITR50
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Microsemi Corporation
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Microchip Technology
5SGXEA9N2F45I2N
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