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codice articolo del costruttore | IPB65R190C7ATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPB65R190C7ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ C7 |
IPB65R190C7ATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 13A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 5.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 290µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1150pF @ 400V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 72W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D²PAK (TO-263AB) |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB65R190C7ATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPB65R190C7ATMA1-FT |
IPB120N04S404ATMA1
Infineon Technologies
IPB120N04S4L02ATMA1
Infineon Technologies
IPB120N06N G
Infineon Technologies
IPB120N06S402ATMA1
Infineon Technologies
IPB120N06S402ATMA2
Infineon Technologies
IPB120N06S403ATMA1
Infineon Technologies
IPB120N06S403ATMA2
Infineon Technologies
IPB120N06S4H1ATMA1
Infineon Technologies
IPB120N06S4H1ATMA2
Infineon Technologies
IPB120N08S403ATMA1
Infineon Technologies
XC3S1600E-5FGG320C
Xilinx Inc.
XC3S250E-4VQ100I
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-6900C-6BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX50CF23C7
Intel
5SGXEA3K1F40C2L
Intel
5SGXMA3K2F40C2LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC6VLX195T-3FFG784C
Xilinx Inc.
5CGXFC4C7U19C8N
Intel