casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPB090N06N3GATMA1

| codice articolo del costruttore | IPB090N06N3GATMA1 |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-IPB090N06N3GATMA1 |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | OptiMOS™ |
| IPB090N06N3GATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9 mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 34µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2900pF @ 30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 71W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D²PAK (TO-263AB) |
| Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| IPB090N06N3GATMA1 Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | IPB090N06N3GATMA1-FT |

AUIRFS6535
Infineon Technologies

AUIRFS6535TRL
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AUIRFS8403
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AUIRFS8403TRL
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AUIRFS8405TRL
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AUIRFS8407TRL
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AUIRFS8408
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AUIRFS8408-7P
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AUIRFS8408-7TRL
Infineon Technologies

AUIRFS8408-7TRR
Infineon Technologies

AT40K05AL-1BQC
Microchip Technology

XC3S200AN-4FTG256I
Xilinx Inc.

A54SX32A-1FG144
Microsemi Corporation

EPF6010ATI100-2N
Intel

5SGXEABK3H40I4N
Intel

XC4005-5PC84C
Xilinx Inc.

XA7S25-1CSGA225Q
Xilinx Inc.

A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation

LFE2-20SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation

EP1S20F780C6
Intel