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Infineon Technologies IPB097N08N3 G

Name: IPB097N08N3 G
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB097N08N3 G
Availability: InStock
Rating: 4.6 (560 reviews)

Numero parte MFG: IPB097N08N3 G

quantità disponibile: 22750 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: OptiMOS™ MOSFET N-CH 80V 70A TO263-3

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IPB097N08N3 G.pdf

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IPB097N08N3 G specificazioni

codice articolo del costruttore	IPB097N08N3 G
Numero di parte futuro	FT-IPB097N08N3 G
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	OptiMOS™
IPB097N08N3 G Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	80V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	70A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.7 mOhm @ 46A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 46µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	35nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2410pF @ 40V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	100W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	D²PAK (TO-263AB)
Pacchetto / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPB097N08N3 G Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IPB097N08N3 G-FT

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