casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPB048N15N5ATMA1
codice articolo del costruttore | IPB048N15N5ATMA1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IPB048N15N5ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPB048N15N5ATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 8V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8 mOhm @ 60A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.6V @ 264µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7800pF @ 75V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 300W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-3 |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB048N15N5ATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPB048N15N5ATMA1-FT |
AUIRF3205ZSTRL
Infineon Technologies
AUIRF3315S
Infineon Technologies
AUIRF3315STRL
Infineon Technologies
AUIRF3710ZSTRL
Infineon Technologies
AUIRF3805S
Infineon Technologies
AUIRF3808S
Infineon Technologies
AUIRF4104S
Infineon Technologies
AUIRF4905S
Infineon Technologies
AUIRF4905STRL
Infineon Technologies
AUIRF5210S
Infineon Technologies
XC3S50A-4TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG256
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C40F484C7N
Intel
10M40SAE144I7G
Intel
5SGXEBBR1H43C2LN
Intel
LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9C6F23I7N
Intel
EP20K200CB356C9
Intel
EPF8820AQC208-4AA
Intel