casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPB042N10N3GE8187ATMA1
codice articolo del costruttore | IPB042N10N3GE8187ATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPB042N10N3GE8187ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPB042N10N3GE8187ATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 150µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 117nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 8410pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 214W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D²PAK (TO-263AB) |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB042N10N3GE8187ATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPB042N10N3GE8187ATMA1-FT |
AUIRF2903ZSTRL
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AUIRF3205ZS
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AUIRF3315S
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