codice articolo del costruttore | IRL3102 |
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Numero di parte futuro | FT-IRL3102 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRL3102 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 61A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 7V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13 mOhm @ 37A, 7V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 58nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2500pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 89W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRL3102 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRL3102-FT |
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LFXP3C-4T144I
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A54SX16-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C6N
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10AX016C4U19I3SG
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5SGSED6K2F40C2N
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5CGXFC7B6M15I7N
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EP4SGX530KH40C3NES
Intel
5SGXEA5K1F35I2N
Intel
XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation