codice articolo del costruttore | IRFZ46Z |
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Numero di parte futuro | FT-IRFZ46Z |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFZ46Z Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 51A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.6 mOhm @ 31A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 46nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1460pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 82W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFZ46Z Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFZ46Z-FT |
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A40MX02-VQG80M
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EX128-PTQG64
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C2
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EP4SGX530KF43C3
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A40MX04-3PLG44
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
LFEC6E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50SBC356-2
Intel
EP20K60EFC324-1
Intel
EP2S60F1020C5
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