casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPB020NE7N3GATMA1
codice articolo del costruttore | IPB020NE7N3GATMA1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IPB020NE7N3GATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPB020NE7N3GATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 273µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 206nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 14400pF @ 37.5V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 300W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D²PAK (TO-263AB) |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB020NE7N3GATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPB020NE7N3GATMA1-FT |
94-2310
Infineon Technologies
94-2386
Infineon Technologies
94-2989
Infineon Technologies
94-4582
Infineon Technologies
94-4796
Infineon Technologies
AUIRF1010EZS
Infineon Technologies
AUIRF1010EZSTRL
Infineon Technologies
AUIRF1010ZS
Infineon Technologies
AUIRF1018ES
Infineon Technologies
AUIRF1324S
Infineon Technologies
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
Intel
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
Intel
10AX022E3F29I2LG
Intel
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
EP4CE75F29C8
Intel