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Infineon Technologies IPB029N06N3GE8187ATMA1

Name: IPB029N06N3GE8187ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB029N06N3GE8187ATMA1
Price: 0.853648 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (744 reviews)

Numero parte MFG: IPB029N06N3GE8187ATMA1

quantità disponibile: 98830 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.853648

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fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: OptiMOS™ MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IPB029N06N3GE8187ATMA1.pdf

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IPB029N06N3GE8187ATMA1 specificazioni

codice articolo del costruttore	IPB029N06N3GE8187ATMA1
Numero di parte futuro	FT-IPB029N06N3GE8187ATMA1
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	OptiMOS™
IPB029N06N3GE8187ATMA1 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	120A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.2 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 118µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	165nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	13000pF @ 30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	188W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	D²PAK (TO-263AB)
Pacchetto / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPB029N06N3GE8187ATMA1 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IPB029N06N3GE8187ATMA1-FT

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