casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSP320S E6327
codice articolo del costruttore | BSP320S E6327 |
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Numero di parte futuro | FT-BSP320S E6327 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SIPMOS® |
BSP320S E6327 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.9A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 2.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 20µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 340pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.8W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT223-4 |
Pacchetto / caso | TO-261-4, TO-261AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSP320S E6327 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSP320S E6327-FT |
IPU64CN10N G
Infineon Technologies
IPU78CN10N G
Infineon Technologies
IPU80R1K0CEAKMA1
Infineon Technologies
IPU80R1K0CEBKMA1
Infineon Technologies
IPU80R1K4CEAKMA1
Infineon Technologies
IPU80R1K4CEBKMA1
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IPU80R2K8CEAKMA1
Infineon Technologies
IPU80R2K8CEBKMA1
Infineon Technologies
IPUH6N03LB G
Infineon Technologies
SPU02N60S5BKMA1
Infineon Technologies
A54SX32-TQG144I
Microsemi Corporation
XC4013XL-09PQ208C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FGG256I
Microsemi Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE260H780I4LN
Intel
AGLP060V5-CS289
Microsemi Corporation
A54SX32A-2TQG100I
Microsemi Corporation
10AX090N4F40E3SG
Intel
10AX115N3F40I3SGES
Intel