casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSP317PE6327
codice articolo del costruttore | BSP317PE6327 |
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Numero di parte futuro | FT-BSP317PE6327 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SIPMOS® |
BSP317PE6327 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 430mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 Ohm @ 430mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 370µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15.1nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 262pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.8W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT223-4 |
Pacchetto / caso | TO-261-4, TO-261AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSP317PE6327 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSP317PE6327-FT |
IPU60R2K0C6BKMA1
Infineon Technologies
IPU60R2K1CEBKMA1
Infineon Technologies
IPU60R600C6AKMA1
Infineon Technologies
IPU60R950C6AKMA1
Infineon Technologies
IPU60R950C6BKMA1
Infineon Technologies
IPU64CN10N G
Infineon Technologies
IPU78CN10N G
Infineon Technologies
IPU80R1K0CEAKMA1
Infineon Technologies
IPU80R1K0CEBKMA1
Infineon Technologies
IPU80R1K4CEAKMA1
Infineon Technologies
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
Intel
EP1C6Q240C7N
Intel
EP1K100QC208-1GZ
Intel