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Infineon Technologies BSP613PL6327HUSA1

Name: BSP613PL6327HUSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSP613PL6327HUSA1
Availability: InStock
Rating: 4.5 (583 reviews)

Numero parte MFG: BSP613PL6327HUSA1

quantità disponibile: 63000 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: SIPMOS® MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: BSP613PL6327HUSA1.pdf

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BSP613PL6327HUSA1 specificazioni

codice articolo del costruttore	BSP613PL6327HUSA1
Numero di parte futuro	FT-BSP613PL6327HUSA1
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	SIPMOS®
BSP613PL6327HUSA1 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	2.9A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	130 mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	33nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	875pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.8W (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-SOT223-4
Pacchetto / caso	TO-261-4, TO-261AA
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSP613PL6327HUSA1 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	BSP613PL6327HUSA1-FT

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