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codice articolo del costruttore | IMC1210ER8R2J |
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Numero di parte futuro | FT-IMC1210ER8R2J |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IMC-1210 |
IMC1210ER8R2J Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 8.2µH |
Tolleranza | ±5% |
Valutazione attuale | 194mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 2 Ohm Max |
Q @ Freq | 30 @ 7.96MHz |
Frequenza - Autorisonante | 38MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 7.96MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1210 |
Dimensione / Dimensione | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.095" (2.41mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMC1210ER8R2J Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IMC1210ER8R2J-FT |
IMC1210EBR33M
Vishay Dale
IMC1210EBR39J
Vishay Dale
IMC1210EBR39K
Vishay Dale
IMC1210EBR39M
Vishay Dale
IMC1210EBR47J
Vishay Dale
IMC1210EBR47K
Vishay Dale
IMC1210EBR47M
Vishay Dale
IMC1210EBR56J
Vishay Dale
IMC1210EBR56K
Vishay Dale
IMC1210EBR56M
Vishay Dale
LFE2-6SE-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A50T-2CSG325I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
EP3C5F256C6
Intel
M1AGL1000V5-CSG281
Microsemi Corporation
A42MX09-1PQG160
Microsemi Corporation
LFE2M50E-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10M04DAU324I7G
Intel