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codice articolo del costruttore | IMC1210EBR56K |
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Numero di parte futuro | FT-IMC1210EBR56K |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IMC-1210 |
IMC1210EBR56K Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 560nH |
Tolleranza | ±10% |
Valutazione attuale | 450mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 550 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 25.2MHz |
Frequenza - Autorisonante | 180MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 25.2MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1210 |
Dimensione / Dimensione | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.095" (2.41mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMC1210EBR56K Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IMC1210EBR56K-FT |
IMC1210EB180J
Vishay Dale
IMC1210EB180K
Vishay Dale
IMC1210EB181J
Vishay Dale
IMC1210EB181K
Vishay Dale
IMC1210EB18NK
Vishay Dale
IMC1210EB18NM
Vishay Dale
IMC1210EB1R0J
Vishay Dale
IMC1210EB1R0K
Vishay Dale
IMC1210EB1R0M
Vishay Dale
IMC1210EB1R2J
Vishay Dale
XC6SLX150-3FGG900I
Xilinx Inc.
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
M2GL025T-1FCSG325
Microsemi Corporation
EP3C16F484C7
Intel
5SGSMD4K2F40I3L
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
LCMXO3LF-9400E-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
Intel
EPF6016QC240-3N
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel