casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / IMC1210EBR47M
codice articolo del costruttore | IMC1210EBR47M |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IMC1210EBR47M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IMC-1210 |
IMC1210EBR47M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 470nH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 450mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 500 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 25.2MHz |
Frequenza - Autorisonante | 220MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 25.2MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1210 |
Dimensione / Dimensione | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.095" (2.41mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMC1210EBR47M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IMC1210EBR47M-FT |
IMC1210EB15NK
Vishay Dale
IMC1210EB15NM
Vishay Dale
IMC1210EB180J
Vishay Dale
IMC1210EB180K
Vishay Dale
IMC1210EB181J
Vishay Dale
IMC1210EB181K
Vishay Dale
IMC1210EB18NK
Vishay Dale
IMC1210EB18NM
Vishay Dale
IMC1210EB1R0J
Vishay Dale
IMC1210EB1R0K
Vishay Dale
XCS05-3VQ100C
Xilinx Inc.
XC7S75-2FGGA676C
Xilinx Inc.
AGLN250V2-ZCSG81I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQ208
Microsemi Corporation
EP20K400EFC672-1
Intel
XC7K410T-L2FFG676I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQ100
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1AJC
Microchip Technology
EP1S40F780C8N
Intel
EPF10K100ABI356-3N
Intel