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codice articolo del costruttore | IMC1210ER1R2J |
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Numero di parte futuro | FT-IMC1210ER1R2J |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IMC-1210 |
IMC1210ER1R2J Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 1.2µH |
Tolleranza | ±5% |
Valutazione attuale | 390mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 750 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 7.96MHz |
Frequenza - Autorisonante | 100MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 7.96MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1210 |
Dimensione / Dimensione | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.095" (2.41mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMC1210ER1R2J Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IMC1210ER1R2J-FT |
IMC1210EB33NK
Vishay Dale
IMC1210EB33NM
Vishay Dale
IMC1210EB390J
Vishay Dale
IMC1210EB390K
Vishay Dale
IMC1210EB39NJ
Vishay Dale
IMC1210EB39NK
Vishay Dale
IMC1210EB39NM
Vishay Dale
IMC1210EB3R3J
Vishay Dale
IMC1210EB3R3K
Vishay Dale
IMC1210EB3R9J
Vishay Dale
XA3SD1800A-4FGG676Q
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FG900C
Xilinx Inc.
XCVU080-3FFVD1517E
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG256
Microsemi Corporation
U1AFS600-FG256
Microsemi Corporation
APA600-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3C25F256C8
Intel
5SGXEA5H1F35C2L
Intel
XC2V3000-4BG728I
Xilinx Inc.
A42MX24-TQ176
Microsemi Corporation