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codice articolo del costruttore | IMC1210EB39NJ |
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Numero di parte futuro | FT-IMC1210EB39NJ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IMC-1210 |
IMC1210EB39NJ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Non-Magnetic |
Induttanza | 39nH |
Tolleranza | ±5% |
Valutazione attuale | 530mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 270 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 50MHz |
Frequenza - Autorisonante | 1GHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 50MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1210 |
Dimensione / Dimensione | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.095" (2.41mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMC1210EB39NJ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IMC1210EB39NJ-FT |
IMC1210BN68NM
Vishay Dale
IMC1210BN6R8J
Vishay Dale
IMC1210BN6R8K
Vishay Dale
IMC1210BN820J
Vishay Dale
IMC1210BN820K
Vishay Dale
IMC1210BN82NJ
Vishay Dale
IMC1210BN82NK
Vishay Dale
IMC1210BN82NM
Vishay Dale
IMC1210BN8R2J
Vishay Dale
IMC1210BN8R2K
Vishay Dale
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel