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codice articolo del costruttore | IMC1210EB3R3J |
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Numero di parte futuro | FT-IMC1210EB3R3J |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IMC-1210 |
IMC1210EB3R3J Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 3.3µH |
Tolleranza | ±5% |
Valutazione attuale | 260mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 1.2 Ohm Max |
Q @ Freq | 30 @ 7.96MHz |
Frequenza - Autorisonante | 60MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 7.96MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1210 |
Dimensione / Dimensione | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.095" (2.41mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMC1210EB3R3J Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IMC1210EB3R3J-FT |
IMC1210BN820J
Vishay Dale
IMC1210BN820K
Vishay Dale
IMC1210BN82NJ
Vishay Dale
IMC1210BN82NK
Vishay Dale
IMC1210BN82NM
Vishay Dale
IMC1210BN8R2J
Vishay Dale
IMC1210BN8R2K
Vishay Dale
IMC1210BNR10J
Vishay Dale
IMC1210BNR10K
Vishay Dale
IMC1210BNR10M
Vishay Dale
XC3S1200E-4FT256C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA676C
Xilinx Inc.
A3P400-2FGG484
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208A
Microsemi Corporation
ICE65L04F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF27I7
Intel
EP1K10FC256-1N
Intel
A42MX16-3PQ160
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5M13C8N
Intel