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codice articolo del costruttore | IMC1210EBR82J |
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Numero di parte futuro | FT-IMC1210EBR82J |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IMC-1210 |
IMC1210EBR82J Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 820nH |
Tolleranza | ±5% |
Valutazione attuale | 450mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 670 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 25.2MHz |
Frequenza - Autorisonante | 140MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 25.2MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1210 |
Dimensione / Dimensione | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.095" (2.41mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMC1210EBR82J Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IMC1210EBR82J-FT |
IMC1210EB18NM
Vishay Dale
IMC1210EB1R0J
Vishay Dale
IMC1210EB1R0K
Vishay Dale
IMC1210EB1R0M
Vishay Dale
IMC1210EB1R2J
Vishay Dale
IMC1210EB1R2K
Vishay Dale
IMC1210EB1R5J
Vishay Dale
IMC1210EB1R5K
Vishay Dale
IMC1210EB1R8J
Vishay Dale
IMC1210EB1R8K
Vishay Dale
XC3S1200E-5FT256C
Xilinx Inc.
XC7A200T-1FBG676C
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ208
Microsemi Corporation
EP4CE6E22A7N
Intel
5SGXMA9N2F45I2LN
Intel
5SGXMA4K3F35I3LN
Intel
XA7A75T-1CSG324I
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N4F45E3LG
Intel
EPF10K30RI240-4N
Intel