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codice articolo del costruttore | IMC1210EB1R8K |
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Numero di parte futuro | FT-IMC1210EB1R8K |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IMC-1210 |
IMC1210EB1R8K Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 1.8µH |
Tolleranza | ±10% |
Valutazione attuale | 350mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 900 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 7.96MHz |
Frequenza - Autorisonante | 80MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 7.96MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1210 |
Dimensione / Dimensione | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.095" (2.41mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMC1210EB1R8K Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IMC1210EB1R8K-FT |
IMC1210BN39NJ
Vishay Dale
IMC1210BN39NK
Vishay Dale
IMC1210BN39NM
Vishay Dale
IMC1210BN3R3J
Vishay Dale
IMC1210BN3R3K
Vishay Dale
IMC1210BN3R9J
Vishay Dale
IMC1210BN3R9K
Vishay Dale
IMC1210BN470J
Vishay Dale
IMC1210BN47NJ
Vishay Dale
IMC1210BN47NK
Vishay Dale
AT6010A-2AU
Microchip Technology
LCMXO256C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200A-4FG320I
Xilinx Inc.
XC3S400AN-5FTG256C
Xilinx Inc.
LFE2-12E-6QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C80F484I7
Intel
10CX150YU484E5G
Intel
5SGSED8N3F45I3LN
Intel
XC4VFX40-11FFG1152C
Xilinx Inc.
LFXP2-5E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation