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codice articolo del costruttore | IMC1210EB1R8J |
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Numero di parte futuro | FT-IMC1210EB1R8J |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IMC-1210 |
IMC1210EB1R8J Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 1.8µH |
Tolleranza | ±5% |
Valutazione attuale | 350mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 900 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 7.96MHz |
Frequenza - Autorisonante | 80MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 7.96MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1210 |
Dimensione / Dimensione | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.095" (2.41mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMC1210EB1R8J Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IMC1210EB1R8J-FT |
IMC1210BN390K
Vishay Dale
IMC1210BN39NJ
Vishay Dale
IMC1210BN39NK
Vishay Dale
IMC1210BN39NM
Vishay Dale
IMC1210BN3R3J
Vishay Dale
IMC1210BN3R3K
Vishay Dale
IMC1210BN3R9J
Vishay Dale
IMC1210BN3R9K
Vishay Dale
IMC1210BN470J
Vishay Dale
IMC1210BN47NJ
Vishay Dale
EP1C6T144C7N
Intel
XA6SLX75-3FGG484Q
Xilinx Inc.
XC6SLX75-2FGG484I
Xilinx Inc.
M1AGLE3000V2-FG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQ208M
Microsemi Corporation
5SGXMA7K2F40C1
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
10AX115N2F45E1SG
Intel
EP2AGX125EF35C6
Intel
EP2AGZ350FF35I3N
Intel