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codice articolo del costruttore | IMC1210BN82NJ |
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Numero di parte futuro | FT-IMC1210BN82NJ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IMC-1210 |
IMC1210BN82NJ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Non-Magnetic |
Induttanza | 82nH |
Tolleranza | ±5% |
Valutazione attuale | 450mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 400 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 50MHz |
Frequenza - Autorisonante | 900MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 50MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1210 |
Dimensione / Dimensione | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.095" (2.41mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMC1210BN82NJ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IMC1210BN82NJ-FT |
ISC1210SYR39M
Vishay Dale
ISC1210SYR47J
Vishay Dale
ISC1210SYR47K
Vishay Dale
ISC1210SYR47M
Vishay Dale
ISC1210SYR56J
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ISC1210SYR56K
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ISC1210SYR56M
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ISC1210SYR68J
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ISC1210SYR68M
Vishay Dale
ISC1210SYR82J
Vishay Dale
EP2C5T144C8N
Intel
XC6VLX75T-3FFG484C
Xilinx Inc.
A3P250-FGG256T
Microsemi Corporation
AT40K10AL-1EQC
Microchip Technology
AT40K05-2RQC
Microchip Technology
5SGXMA5K3F40I3LN
Intel
LFE2M20SE-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090H4F34I3LG
Intel
EP2AGX65CU17C6ES
Intel