casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / IMC1210BN8R2K
codice articolo del costruttore | IMC1210BN8R2K |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IMC1210BN8R2K |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IMC-1210 |
IMC1210BN8R2K Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 8.2µH |
Tolleranza | ±10% |
Valutazione attuale | 194mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 2 Ohm Max |
Q @ Freq | 30 @ 7.96MHz |
Frequenza - Autorisonante | 38MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 7.96MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1210 |
Dimensione / Dimensione | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.095" (2.41mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMC1210BN8R2K Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IMC1210BN8R2K-FT |
ISC1210SYR56J
Vishay Dale
ISC1210SYR56K
Vishay Dale
ISC1210SYR56M
Vishay Dale
ISC1210SYR68J
Vishay Dale
ISC1210SYR68M
Vishay Dale
ISC1210SYR82J
Vishay Dale
ISC1210SYR82K
Vishay Dale
ISC1210SYR82M
Vishay Dale
IMC1210ER100J
Vishay Dale
IMC1210ER470K
Vishay Dale
EPF10K20TC144-4
Intel
LFEC3E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL010-1VF400
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEA5N1F40I2N
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQ160
Microsemi Corporation
LFE2-20E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF29C6ES
Intel