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codice articolo del costruttore | IHB5BV822K |
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Numero di parte futuro | FT-IHB5BV822K |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IHB |
IHB5BV822K Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | - |
Induttanza | 8.2mH |
Tolleranza | ±10% |
Valutazione attuale | 1.4A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 1.26 Ohm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 130°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 1.600" Dia (40.64mm) |
Altezza - Seduto (max) | 1.450" (36.83mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHB5BV822K Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IHB5BV822K-FT |
IHB3EB122K
Vishay Dale
IHB3EB182K
Vishay Dale
IHB3EB220K
Vishay Dale
IHB3EB221K
Vishay Dale
IHB3EB270K
Vishay Dale
IHB3EB330K
Vishay Dale
IHB3EB331K
Vishay Dale
IHB3EB332K
Vishay Dale
IHB3EB470K
Vishay Dale
IHB3EB471K
Vishay Dale
XC6SLX150T-3FGG676I
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
A42MX09-1VQ100M
Microsemi Corporation
AGLN125V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4K2F35I3LN
Intel
XC7VX330T-2FF1157C
Xilinx Inc.
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
5AGTMC7G3F31I5N
Intel
EP3C25F324C8
Intel
EP20K100EFI324-2X
Intel