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codice articolo del costruttore | IHB5BV2R7M |
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Numero di parte futuro | FT-IHB5BV2R7M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IHB |
IHB5BV2R7M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | - |
Induttanza | 2.7µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 36.2A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 2 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 130°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 1.600" Dia (40.64mm) |
Altezza - Seduto (max) | 1.450" (36.83mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHB5BV2R7M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IHB5BV2R7M-FT |
IHB3BV3R3M
Vishay Dale
IHB3BV470K
Vishay Dale
IHB3BV471K
Vishay Dale
IHB3BV472K
Vishay Dale
IHB3BV4R7M
Vishay Dale
IHB3BV560K
Vishay Dale
IHB3BV561K
Vishay Dale
IHB3BV5R6M
Vishay Dale
IHB3BV680K
Vishay Dale
IHB3BV681K
Vishay Dale
XCS05-3VQ100C
Xilinx Inc.
XC7S75-2FGGA676C
Xilinx Inc.
AGLN250V2-ZCSG81I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQ208
Microsemi Corporation
EP20K400EFC672-1
Intel
XC7K410T-L2FFG676I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQ100
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1AJC
Microchip Technology
EP1S40F780C8N
Intel
EPF10K100ABI356-3N
Intel