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codice articolo del costruttore | IHB3BV4R7M |
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Numero di parte futuro | FT-IHB3BV4R7M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IHB |
IHB3BV4R7M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | - |
Induttanza | 4.7µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 20.3A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 3 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 130°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 1.100" Dia (27.94mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.840" (21.34mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHB3BV4R7M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IHB3BV4R7M-FT |
IHB2BV102K
Vishay Dale
IHB2BV120K
Vishay Dale
IHB2BV121K
Vishay Dale
IHB2BV122K
Vishay Dale
IHB2BV150K
Vishay Dale
IHB2BV151K
Vishay Dale
IHB2BV152K
Vishay Dale
IHB2BV180K
Vishay Dale
IHB2BV181K
Vishay Dale
IHB2BV182K
Vishay Dale
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel