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codice articolo del costruttore | IHB3BV5R6M |
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Numero di parte futuro | FT-IHB3BV5R6M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IHB |
IHB3BV5R6M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | - |
Induttanza | 5.6µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 20.3A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 3 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 130°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 1.100" Dia (27.94mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.840" (21.34mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHB3BV5R6M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IHB3BV5R6M-FT |
IHB2BV122K
Vishay Dale
IHB2BV150K
Vishay Dale
IHB2BV151K
Vishay Dale
IHB2BV152K
Vishay Dale
IHB2BV180K
Vishay Dale
IHB2BV181K
Vishay Dale
IHB2BV182K
Vishay Dale
IHB2BV1R0M
Vishay Dale
IHB2BV1R8M
Vishay Dale
IHB2BV220K
Vishay Dale
A1415A-PQ100C
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CSG325I
Xilinx Inc.
LAXP2-8E-5QN208E
Lattice Semiconductor Corporation
10M25DAF484C7G
Intel
5SGXMA4K1F35C2LN
Intel
EP4SGX530HH35C3NES
Intel
XC2VP20-6FF1152C
Xilinx Inc.
XC7K410T-2FFG900I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-CSG281
Microsemi Corporation
EP4CE40F29I7N
Intel