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codice articolo del costruttore | IHB5BV2R2M |
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Numero di parte futuro | FT-IHB5BV2R2M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IHB |
IHB5BV2R2M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | - |
Induttanza | 2.2µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 36.2A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 2 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 130°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 1.600" Dia (40.64mm) |
Altezza - Seduto (max) | 1.450" (36.83mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHB5BV2R2M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IHB5BV2R2M-FT |
IHB3BV392K
Vishay Dale
IHB3BV3R3M
Vishay Dale
IHB3BV470K
Vishay Dale
IHB3BV471K
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IHB3BV472K
Vishay Dale
IHB3BV4R7M
Vishay Dale
IHB3BV560K
Vishay Dale
IHB3BV561K
Vishay Dale
IHB3BV5R6M
Vishay Dale
IHB3BV680K
Vishay Dale
LFE2-6SE-7TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P125-1TQG144
Microsemi Corporation
LFEC3E-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX45-3FG484C
Xilinx Inc.
XC7A75T-2FG484I
Xilinx Inc.
AFS600-1FG484K
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-5FN1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX290KF43I4
Intel
EP3SE80F1152C4
Intel
LFE3-70EA-9FN484C
Lattice Semiconductor Corporation