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codice articolo del costruttore | IHB5BV151K |
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Numero di parte futuro | FT-IHB5BV151K |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IHB |
IHB5BV151K Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | - |
Induttanza | 150µH |
Tolleranza | ±10% |
Valutazione attuale | 10.2A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 25 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 130°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 1.600" Dia (40.64mm) |
Altezza - Seduto (max) | 1.450" (36.83mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHB5BV151K Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IHB5BV151K-FT |
IHB3BV220K
Vishay Dale
IHB3BV221K
Vishay Dale
IHB3BV222K
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IHB3BV270K
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IHB3BV390K
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XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG256M
Microsemi Corporation
5SGXEABN2F45C2LN
Intel
XC4006E-1PC84C
Xilinx Inc.
XC7VX485T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
XA7A15T-1CSG324Q
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF8820ARC208-2
Intel
EP1S40F1020C6
Intel