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codice articolo del costruttore | IHB3BV222K |
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Numero di parte futuro | FT-IHB3BV222K |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IHB |
IHB3BV222K Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | - |
Induttanza | 2.2mH |
Tolleranza | ±10% |
Valutazione attuale | 1.1A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 1.02 Ohm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 130°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 1.100" Dia (27.94mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.840" (21.34mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHB3BV222K Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IHB3BV222K-FT |
IHB1EB100K
Vishay Dale
IHB1EB101K
Vishay Dale
IHB1EB120K
Vishay Dale
IHB1EB150K
Vishay Dale
IHB1EB180K
Vishay Dale
IHB1EB220K
Vishay Dale
IHB1EB221K
Vishay Dale
IHB1EB330K
Vishay Dale
IHB1EB390K
Vishay Dale
IHB1EB391K
Vishay Dale
XC3S1200E-4FT256C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA676C
Xilinx Inc.
A3P400-2FGG484
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208A
Microsemi Corporation
ICE65L04F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF27I7
Intel
EP1K10FC256-1N
Intel
A42MX16-3PQ160
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5M13C8N
Intel