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codice articolo del costruttore | IHB3BV332K |
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Numero di parte futuro | FT-IHB3BV332K |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IHB |
IHB3BV332K Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | - |
Induttanza | 3.3mH |
Tolleranza | ±10% |
Valutazione attuale | 1A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 1.27 Ohm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 130°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 1.100" Dia (27.94mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.840" (21.34mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHB3BV332K Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IHB3BV332K-FT |
IHB1EB221K
Vishay Dale
IHB1EB330K
Vishay Dale
IHB1EB390K
Vishay Dale
IHB1EB391K
Vishay Dale
IHB1EB471K
Vishay Dale
IHB1EB6R8M
Vishay Dale
IHB2BV100K
Vishay Dale
IHB2BV101K
Vishay Dale
IHB2BV102K
Vishay Dale
IHB2BV120K
Vishay Dale
A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
Intel
5SGXEA7H3F35C2N
Intel
5AGXMA5G4F31C4N
Intel