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codice articolo del costruttore | IHB2EB8R2M |
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Numero di parte futuro | FT-IHB2EB8R2M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IHB |
IHB2EB8R2M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | - |
Induttanza | 8.2µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 11.4A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 7 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 130°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.825" Dia (20.96mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.840" (21.34mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHB2EB8R2M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IHB2EB8R2M-FT |
IHB1BV271K
Vishay Dale
IHB1BV2R2M
Vishay Dale
IHB1BV330K
Vishay Dale
IHB1BV331K
Vishay Dale
IHB1BV390K
Vishay Dale
IHB1BV3R3M
Vishay Dale
IHB1BV3R9M
Vishay Dale
IHB1BV470K
Vishay Dale
IHB1BV4R7M
Vishay Dale
IHB1BV560K
Vishay Dale
EPF6024ATC144-2N
Intel
XCS05XL-5VQ100C
Xilinx Inc.
A3P400-1PQ208
Microsemi Corporation
5SGXMA3E3H29C3N
Intel
5SEE9H40C4N
Intel
5SGXEA9K3H40C2N
Intel
AGL400V5-CS196I
Microsemi Corporation
LFE2-70SE-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K100EQC240-2N
Intel
5SGXEA3H2F35C2LN
Intel