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codice articolo del costruttore | IHB1BV470K |
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Numero di parte futuro | FT-IHB1BV470K |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IHB |
IHB1BV470K Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | - |
Induttanza | 47µH |
Tolleranza | ±10% |
Valutazione attuale | 3.3A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 62 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 130°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.660" Dia (16.76mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.840" (21.34mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHB1BV470K Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IHB1BV470K-FT |
S4924R-334H
API Delevan Inc.
S4924R-334J
API Delevan Inc.
S4924R-334K
API Delevan Inc.
S4924R-335H
API Delevan Inc.
S4924R-335J
API Delevan Inc.
S4924R-335K
API Delevan Inc.
S4924R-391H
API Delevan Inc.
S4924R-391J
API Delevan Inc.
S4924R-391K
API Delevan Inc.
S4924R-392H
API Delevan Inc.
XC3S1200E-4FT256C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA676C
Xilinx Inc.
A3P400-2FGG484
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208A
Microsemi Corporation
ICE65L04F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF27I7
Intel
EP1K10FC256-1N
Intel
A42MX16-3PQ160
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5M13C8N
Intel