casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / IFS150B17N3E4PB11BPSA1
codice articolo del costruttore | IFS150B17N3E4PB11BPSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IFS150B17N3E4PB11BPSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IFS150B17N3E4PB11BPSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Full Bridge |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1700V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 300A |
Potenza - Max | 20mW |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 150A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 13.5nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IFS150B17N3E4PB11BPSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IFS150B17N3E4PB11BPSA1-FT |
FD900R12IP4DBOSA1
Infineon Technologies
FD900R12IP4DVBOSA1
Infineon Technologies
FF1000R17IE4DB2BOSA1
Infineon Technologies
FF1000R17IE4DPB2BOSA1
Infineon Technologies
FF1000R17IE4PBOSA1
Infineon Technologies
FF1400R12IP4PBOSA1
Infineon Technologies
FF1400R17IP4PBOSA1
Infineon Technologies
FF450R12IE4BOSA2
Infineon Technologies
FF600R12IE4PNOSA1
Infineon Technologies
FF600R12IE4VBOSA1
Infineon Technologies
LFEC6E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX45-3FG484C
Xilinx Inc.
APA600-FG256
Microsemi Corporation
EP20K1000CF672C8ES
Intel
5SGXEA5N2F40C2N
Intel
EP2AGX125DF25C6N
Intel
XC7VX415T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
LFE2-12SE-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF81188ARC240-2
Intel