casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / FD900R12IP4DBOSA1
codice articolo del costruttore | FD900R12IP4DBOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-FD900R12IP4DBOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FD900R12IP4DBOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | - |
Configurazione | Single Chopper |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 900A |
Potenza - Max | 5100W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.05V @ 15V, 900A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 5mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 54nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FD900R12IP4DBOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FD900R12IP4DBOSA1-FT |
FP75R12KT4B11BOSA1
Infineon Technologies
FP50R12KT4B11BOSA1
Infineon Technologies
FP40R12KT3BOSA1
Infineon Technologies
FP35R12W2T4B11BOMA1
Infineon Technologies
FP50R06W2E3BOMA1
Infineon Technologies
FP25R12W2T4B11BOMA1
Infineon Technologies
FP25R12KE3BOSA1
Infineon Technologies
BSM35GP120BOSA1
Infineon Technologies
FP15R12W1T4PBPSA1
Infineon Technologies
FP100R12KT4BOSA1
Infineon Technologies
A40MX02-2VQG80I
Microsemi Corporation
XA2S150E-6FT256I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FG256I
Microsemi Corporation
EP3C40U484I7
Intel
5SGXEA7N1F40C2
Intel
10CX220YF672E5G
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
XC2V1500-4FFG896I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U4F45I3SGE2
Intel