casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / FF1000R17IE4DPB2BOSA1
codice articolo del costruttore | FF1000R17IE4DPB2BOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-FF1000R17IE4DPB2BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FF1000R17IE4DPB2BOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | 2 Independent |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1700V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1000A |
Potenza - Max | - |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 1000A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 5mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 81nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FF1000R17IE4DPB2BOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FF1000R17IE4DPB2BOSA1-FT |
FP35R12W2T4B11BOMA1
Infineon Technologies
FP50R06W2E3BOMA1
Infineon Technologies
FP25R12W2T4B11BOMA1
Infineon Technologies
FP25R12KE3BOSA1
Infineon Technologies
BSM35GP120BOSA1
Infineon Technologies
FP15R12W1T4PBPSA1
Infineon Technologies
FP100R12KT4BOSA1
Infineon Technologies
FF900R12IP4BOSA2
Infineon Technologies
BSM200GB60DLCHOSA1
Infineon Technologies
FF75R12RT4HOSA1
Infineon Technologies
XC4010XL-1TQ144I
Xilinx Inc.
XC6SLX100-2FGG676I
Xilinx Inc.
A3PN030-Z2VQ100
Microsemi Corporation
AT40K40-2DQC
Microchip Technology
EP20K300EFC672-2
Intel
5CEFA7F27C7N
Intel
10CL055ZF484I8G
Intel
EP3CLS70F484C8N
Intel
AX1000-2FG676I
Microsemi Corporation
A3P250-FGG144
Microsemi Corporation