casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / FF1000R17IE4DPB2BOSA1
codice articolo del costruttore | FF1000R17IE4DPB2BOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-FF1000R17IE4DPB2BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FF1000R17IE4DPB2BOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | 2 Independent |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1700V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1000A |
Potenza - Max | - |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 1000A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 5mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 81nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FF1000R17IE4DPB2BOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FF1000R17IE4DPB2BOSA1-FT |
FP35R12W2T4B11BOMA1
Infineon Technologies
FP50R06W2E3BOMA1
Infineon Technologies
FP25R12W2T4B11BOMA1
Infineon Technologies
FP25R12KE3BOSA1
Infineon Technologies
BSM35GP120BOSA1
Infineon Technologies
FP15R12W1T4PBPSA1
Infineon Technologies
FP100R12KT4BOSA1
Infineon Technologies
FF900R12IP4BOSA2
Infineon Technologies
BSM200GB60DLCHOSA1
Infineon Technologies
FF75R12RT4HOSA1
Infineon Technologies
LFXP3C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX45-3CSG484I
Xilinx Inc.
XC7A15T-2FGG484C
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG484M
Microsemi Corporation
APA600-PQG208
Microsemi Corporation
M2GL050TS-1VF400I
Microsemi Corporation
ICE40LP640-SWG16TR50
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE10F17C8N
Intel
A42MX24-TQ176M
Microsemi Corporation
LFEC20E-3F672C
Lattice Semiconductor Corporation