casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / IFS100B12N3E4B31BOSA1
codice articolo del costruttore | IFS100B12N3E4B31BOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IFS100B12N3E4B31BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IFS100B12N3E4B31BOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Full Bridge |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 200A |
Potenza - Max | 515W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 100A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 6.3nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IFS100B12N3E4B31BOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IFS100B12N3E4B31BOSA1-FT |
DF600R12IP4DVBOSA1
Infineon Technologies
DF900R12IP4DBOSA1
Infineon Technologies
DF900R12IP4DVBOSA1
Infineon Technologies
FD1400R12IP4DBOSA1
Infineon Technologies
FD650R17IE4BOSA2
Infineon Technologies
FD900R12IP4DBOSA1
Infineon Technologies
FD900R12IP4DVBOSA1
Infineon Technologies
FF1000R17IE4DB2BOSA1
Infineon Technologies
FF1000R17IE4DPB2BOSA1
Infineon Technologies
FF1000R17IE4PBOSA1
Infineon Technologies
XC4010XL-1TQ144I
Xilinx Inc.
XC6SLX100-2FGG676I
Xilinx Inc.
A3PN030-Z2VQ100
Microsemi Corporation
AT40K40-2DQC
Microchip Technology
EP20K300EFC672-2
Intel
5CEFA7F27C7N
Intel
10CL055ZF484I8G
Intel
EP3CLS70F484C8N
Intel
AX1000-2FG676I
Microsemi Corporation
A3P250-FGG144
Microsemi Corporation