casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / IDT71016S20Y
codice articolo del costruttore | IDT71016S20Y |
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Numero di parte futuro | FT-IDT71016S20Y |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IDT71016S20Y Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Dimensione della memoria | 1Mb (64K x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 20ns |
Tempo di accesso | 20ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 44-SOJ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IDT71016S20Y Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IDT71016S20Y-FT |
71V416S12BE
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416S12BE8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416S12BEG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416S12BEG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416S12BEI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416S12BEI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416S15BE
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416S15BE8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416S15BEGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416S15BEGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
LCMXO2-2000ZE-1TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V5-CSG81
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FGG256M
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
10M04DAF256C7G
Intel
EP4CE6F17C8
Intel
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFXP6C-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel