casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 71V416S12BE8
codice articolo del costruttore | 71V416S12BE8 |
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Numero di parte futuro | FT-71V416S12BE8 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
71V416S12BE8 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Dimensione della memoria | 4Mb (256K x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 12ns |
Tempo di accesso | 12ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 3V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 48-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 48-CABGA (9x9) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
71V416S12BE8 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 71V416S12BE8-FT |
7026S35J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026S55J
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026S55J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026S55JI
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026S55JI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V24L15J
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V24L15J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V24L20J
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V24L20J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V24L20JI
IDT, Integrated Device Technology Inc
XC7S50-2FGGA484I
Xilinx Inc.
A3P600L-FG256I
Microsemi Corporation
EPF8452ATC100-4
Intel
10M16SCE144C8G
Intel
LFE3-150EA-8FN1156ITW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA5U19C7N
Intel
5AGXFA5H4F35I3
Intel
EP2AGX260FF35I3N
Intel
EP4SGX70HF35C3
Intel