casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 71V416S15BE8
codice articolo del costruttore | 71V416S15BE8 |
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Numero di parte futuro | FT-71V416S15BE8 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
71V416S15BE8 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Dimensione della memoria | 4Mb (256K x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 15ns |
Tempo di accesso | 15ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 3V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 48-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 48-CABGA (9x9) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
71V416S15BE8 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 71V416S15BE8-FT |
70V24L15J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V24L20J
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V24L20J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V24L20JI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V24L20JI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V24L25J
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V24L25J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V24L35J
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V24L35J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V24L55J
IDT, Integrated Device Technology Inc
M2GL010T-FG484
Microsemi Corporation
EP1SGX25DF672C5N
Intel
EPF10K50SFC256-1X
Intel
EP1M350F780I6
Intel
XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX220T-1FF1738C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-45F-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EBC356-2
Intel