casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FQB7N20TM
codice articolo del costruttore | FQB7N20TM |
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Numero di parte futuro | FT-FQB7N20TM |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | QFET® |
FQB7N20TM Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6.6A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 690 mOhm @ 3.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.13W (Ta), 63W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D²PAK (TO-263AB) |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQB7N20TM Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FQB7N20TM-FT |
FDB86360_SN00307
ON Semiconductor
FDB8832-F085
ON Semiconductor
FDB8860-F085
ON Semiconductor
FDB8870-F085
ON Semiconductor
FDB8874
ON Semiconductor
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ON Semiconductor
FDB8878
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FDB8880
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FDB8896-F085
ON Semiconductor
FDB9403_SN00268
ON Semiconductor
XC6SLX45-3FG676C
Xilinx Inc.
XC4005L-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2VP2-7FG456C
Xilinx Inc.
A42MX16-2PQ208I
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-9400C-5BG484C
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LFE5UM5G-45F-8BG381C
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5SGSED6K3F40C2N
Intel
LFEC1E-4Q208C
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EP3C40F780C6N
Intel