casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / HUFA76437S3ST
codice articolo del costruttore | HUFA76437S3ST |
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Numero di parte futuro | FT-HUFA76437S3ST |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | UltraFET™ |
HUFA76437S3ST Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 71A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 71A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 71nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2230pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 155W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D²PAK (TO-263AB) |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HUFA76437S3ST Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HUFA76437S3ST-FT |
FQB6N60TM
ON Semiconductor
FQB6N70TM
ON Semiconductor
FQB6N90TM_AM002
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FQB7N20TM
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FQB7N30TM
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LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
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XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
EP4CE10E22C9L
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LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel