casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FQB70N10TM_AM002
codice articolo del costruttore | FQB70N10TM_AM002 |
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Numero di parte futuro | FT-FQB70N10TM_AM002 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | QFET® |
FQB70N10TM_AM002 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 57A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 28.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±25V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3300pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.75W (Ta), 160W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D²PAK (TO-263AB) |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQB70N10TM_AM002 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FQB70N10TM_AM002-FT |
FDB8443-F085
ON Semiconductor
FDB8444-F085
ON Semiconductor
FDB8445-F085
ON Semiconductor
FDB8453LZ
ON Semiconductor
FDB86360_SN00307
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FDB8832-F085
ON Semiconductor
FDB8860-F085
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FDB8870-F085
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FDB8874
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FDB8876
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EX64-TQ100I
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M2GL090T-FCSG325I
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M1AFS600-2FG256I
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5SGXMA7N2F40I3N
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XCS05-3PC84C
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XC2V4000-5FFG1152I
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AGL600V5-FGG144
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EP3SL150F780C4LN
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EPF10K30RC240-4N
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EP1S60F1020C5N
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