casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / HUF75321D3ST
codice articolo del costruttore | HUF75321D3ST |
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Numero di parte futuro | FT-HUF75321D3ST |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | UltraFET™ |
HUF75321D3ST Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 20V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 680pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 93W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252AA |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HUF75321D3ST Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HUF75321D3ST-FT |
TK55S10N1,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK65S04N1L,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK7S10N1Z,LQ
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TK90S06N1L,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
IRLR2905ZPBF
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AUIRFR5410
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IXFY26N30X3
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IXTY1R6N50D2
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EX128-PTQG64
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C2
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LFEC6E-5F256C
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