casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / HUF75321D3ST
codice articolo del costruttore | HUF75321D3ST |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-HUF75321D3ST |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | UltraFET™ |
HUF75321D3ST Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 20V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 680pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 93W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252AA |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HUF75321D3ST Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HUF75321D3ST-FT |
TK55S10N1,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK65S04N1L,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK7S10N1Z,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK90S06N1L,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
IRLR2905ZPBF
Infineon Technologies
AUIRFR5410
Infineon Technologies
IXFY26N30X3
IXYS
IXTY1R6N100D2
IXYS
IXTY1R6N50D2
IXYS
IXFY36N20X3
IXYS
XC4005XL-2PQ100I
Xilinx Inc.
XC2VP4-5FG456C
Xilinx Inc.
EPF10K100AFC484-3
Intel
EP4CE10F17C8L
Intel
EP2AGX95DF25C6
Intel
XC6VLX240T-1FF1156C
Xilinx Inc.
XC4VFX40-10FF672C
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1152C
Xilinx Inc.
LFXP2-30E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation