casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXTY1R6N100D2
codice articolo del costruttore | IXTY1R6N100D2 |
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Numero di parte futuro | FT-IXTY1R6N100D2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IXTY1R6N100D2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.6A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 Ohm @ 800mA, 0V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 645pF @ 25V |
Caratteristica FET | Depletion Mode |
Dissipazione di potenza (max) | 100W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252, (D-Pak) |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTY1R6N100D2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXTY1R6N100D2-FT |
FCD850N80Z
ON Semiconductor
FDD10AN06A0
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FDD86102
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XC4VFX40-10FF672C
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XC2V8000-4FFG1152C
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LFXP2-30E-5FT256C
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LCMXO2-4000HE-4BG256I
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