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Toshiba Semiconductor and Storage TK7S10N1Z,LQ

Name: TK7S10N1Z,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK7S10N1Z,LQ
Price: 0.4368 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (177 reviews)

Numero parte MFG: TK7S10N1Z,LQ

quantità disponibile: 93740 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.4368

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione: U-MOSVIII-H MOSFET N-CH 100V 7A DPAK

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: TK7S10N1Z,LQ.pdf

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TK7S10N1Z,LQ specificazioni

codice articolo del costruttore	TK7S10N1Z,LQ
Numero di parte futuro	FT-TK7S10N1Z,LQ
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	U-MOSVIII-H
TK7S10N1Z,LQ Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	7A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	48 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.1nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	470pF @ 10V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	50W (Tc)
temperatura di esercizio	175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	DPAK+
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK7S10N1Z,LQ Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	TK7S10N1Z,LQ-FT

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