casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / HS5B V7G
codice articolo del costruttore | HS5B V7G |
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Numero di parte futuro | FT-HS5B V7G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HS5B V7G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 80pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HS5B V7G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HS5B V7G-FT |
ES3DB R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS3BB R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS3MB R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS2K R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
S15MC R7G
Taiwan Semiconductor Corporation
S3AB R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK510B R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS22 R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES3D R7G
Taiwan Semiconductor Corporation
S3JBHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation
A54SX32A-TQ144
Microsemi Corporation
M1AFS1500-FGG484
Microsemi Corporation
APA150-FG256I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17C8L
Intel
5SGXEA7N3F40C2L
Intel
5SGXEB6R3F43C4N
Intel
LFXP6E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4M100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K30QC208-2N
Intel