casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / HS3MB R5G
codice articolo del costruttore | HS3MB R5G |
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Numero di parte futuro | FT-HS3MB R5G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HS3MB R5G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 75ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HS3MB R5G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HS3MB R5G-FT |
US1BHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
US1D M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
US1DHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
US1G M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
US1GHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
US1J M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
US1JHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
US1JHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
US1K M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
US1KHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
AX250-2FG484
Microsemi Corporation
M2GL025T-1VF400I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F27C4N
Intel
EP2SGX60EF1152C3N
Intel
LFE2-12SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VBI356-4
Intel
EPF6016QC208-2N
Intel
EP4SGX110FF35C4
Intel